基于MEMS的硅压阻式加速度传感器研制
基于MEMS的硅压阻式加速度传感器研制
摘 要：利用MEMS技术中硅的各向异性腐蚀方法，我们封装出了性能良好的微硅加速度传感器，并介绍了所用的测试方法和测试结果。
关键词：MEMS；各向异性腐蚀；微硅；加速度传感器
1.引言
硅压阻式加速度传感器，是力学量传感器中的重要成员之一，也是应用的很广泛的一种力学量传感器，我们在航空、航天、交通、机械、电子等各个行业都能找到它的踪迹。
自从1954年美国贝尔实验室查理.史密斯发现压阻效应以来，人们就广泛使用压阻材料测量力、移位和扭矩。1958年发明的半导体应变片，其灵敏度是金属应变片的几十倍，此后，随着半导体工业的发展，硅平面工艺技术的日臻完善，人们做出了各种各样的压力传感器，常用的压阻全桥式硅压力传感器在硅弹性膜适当地位置上，做出四个压敏电阻构成全桥，并广泛地应用在各种领域[1]。
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