硅光电池I-V曲线分析

太阳电池是利用太阳能的一种重要途径。改善太阳能电池的性能,降低制造成本以及提高转换效率是未来太阳能电池发展的主要方向。根据实测的I—V数据绘制I—V曲线,并根据I-V曲线计算太阳电池的性能参数进行曲线拟合,这是研制和生产太阳电池时分析和改进其性能的重要依据。在获得太阳电池的基本性能参数后，再利用适当的数值方法,并赋以电池的工艺、几何尺寸、电学等方面的模型参数，进行计算机模拟。这样，就可以进一步研究电池的基本参数对太阳电池性能的影响机制，从而指导生产和应用，以便提高太阳电池的转换效率并降低其生产成本。本文首先利用太阳电池的简化模型（将Rsh视为无穷大的模型）对I-V曲线进行了单指数和双指数的拟合，分离光电池的九大参数，结果显示用单指数模型和双指数模型拟合对于串联电阻等参数的结果影响不大，但双指数模型计算量比较大，因此对于非简化的情况则仅进行了单指数的拟合。拟合的结果表明设定的参数与拟合的结果相差最大为5％，这说明模拟的方法是可行的，可以用此方法分离硅光电池的性能参数。

关键词：硅光电池，I-V曲线，单指数模型，双指数模型

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